Interface engineering for improved growth of GaSb on Si(111)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00370546" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00370546 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.167" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.167</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.167" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2010.11.167</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Interface engineering for improved growth of GaSb on Si(111)

Popis výsledku v původním jazyce

Molecular beam epitaxy growth of GaSb growth on Si(111) substrates can be improved by pre-depositing Sb at high temperature. The (3x3) reconstruction obtained by this procedure results in closed heteroepitaxial GaSb layers in contrast to the direct growth on Si(111)(7x7) which produces islands. The growth is characterized by atomic force microscopy, electron and x-ray diffraction. On the basis of these investigations, the formation of an interface misfit dislocation network is discussed.

Název v anglickém jazyce

Interface engineering for improved growth of GaSb on Si(111)

Popis výsledku anglicky

Molecular beam epitaxy growth of GaSb growth on Si(111) substrates can be improved by pre-depositing Sb at high temperature. The (3x3) reconstruction obtained by this procedure results in closed heteroepitaxial GaSb layers in contrast to the direct growth on Si(111)(7x7) which produces islands. The growth is characterized by atomic force microscopy, electron and x-ray diffraction. On the basis of these investigations, the formation of an interface misfit dislocation network is discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Crystal Growth

ISSN

0022-0248

e-ISSN

—

Svazek periodika

213

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

401-404

Kód UT WoS článku

000292175000101

EID výsledku v databázi Scopus

—