Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F02%3A13020094" target="_blank" >RIV/67985882:_____/02:13020094 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE.
Popis výsledku v původním jazyce
We study electrical properties and the photoluminescence /PL/ of Si-doped bulk GaSb grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Si was found to behave a substitution shallow acceptor in GaSb with activation energy of 9 meV, which is responsible for the 0.8 eV line in the PL spectrum of GaSb.
Název v anglickém jazyce
Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE.
Popis výsledku anglicky
We study electrical properties and the photoluminescence /PL/ of Si-doped bulk GaSb grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Si was found to behave a substitution shallow acceptor in GaSb with activation energy of 9 meV, which is responsible for the 0.8 eV line in the PL spectrum of GaSb.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika
Semiconductor Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
—
Svazek periodika
17
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
39-46
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—

Podobné výsledky(10)