Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Fotoluminiscenční vlastnosti epitaxních vrstev GaSb pasivovaných ve vodíkové plasmě

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F07%3A00089695" target="_blank" >RIV/67985882:_____/07:00089695 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Photoluminescence properties of GaSb epitaxial layers passivated in hydrogen plasma

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Undoped and Si-doped GaSb layers grown by low pressure MOVPE have been treated in hydrogen plasma and the effect of this treatment on photoluminescent (PL) and electrical properties is presented. The hydrogenation of layers grown at Sb rich conditions results in nearly complete quenching of the PL line peaking at 896.5 meV, denoted in the literature as BE4. The origin of the BE4 line is ascribed to radiative recombination of excitons bound to a bare gallium vacancy.

  • Název v anglickém jazyce

    Photoluminescence properties of GaSb epitaxial layers passivated in hydrogen plasma

  • Popis výsledku anglicky

    Undoped and Si-doped GaSb layers grown by low pressure MOVPE have been treated in hydrogen plasma and the effect of this treatment on photoluminescent (PL) and electrical properties is presented. The hydrogenation of layers grown at Sb rich conditions results in nearly complete quenching of the PL line peaking at 896.5 meV, denoted in the literature as BE4. The origin of the BE4 line is ascribed to radiative recombination of excitons bound to a bare gallium vacancy.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ME%20834" target="_blank" >ME 834: Růst nanostruktur/heterostruktur polovodičů A3B5 na mřížkově nepřizpůsobených podložkách</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi. A

  • ISSN

    0031-8965

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    204

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    1030-1033

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus