Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00308047" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00308047 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures
Popis výsledku v původním jazyce
Single- and double-layer InAs/GaAs quantum dot structures with strain-reducing layers (SRLs) were prepared by metalorganic vaporphase epitaxy using the Stranski?Krastanow growth mode. Structures were studied in-situ by reflectance anisotropy spectroscopy(RAS), and ex-situ by photoluminescence (PL). These structures, with very intense room temperature PL at wavelengths from 1.25 to 1.55 ?m according to growth and structure parameters, were grown along while monitored with RAS. Strong correlation betweenRAS signal and PL intensity was found. Dependence of PL emission maximum position on SRL composition and capping layer thickness is shown.
Název v anglickém jazyce
Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures
Popis výsledku anglicky
Single- and double-layer InAs/GaAs quantum dot structures with strain-reducing layers (SRLs) were prepared by metalorganic vaporphase epitaxy using the Stranski?Krastanow growth mode. Structures were studied in-situ by reflectance anisotropy spectroscopy(RAS), and ex-situ by photoluminescence (PL). These structures, with very intense room temperature PL at wavelengths from 1.25 to 1.55 ?m according to growth and structure parameters, were grown along while monitored with RAS. Strong correlation betweenRAS signal and PL intensity was found. Dependence of PL emission maximum position on SRL composition and capping layer thickness is shown.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
e-ISSN
—
Svazek periodika
310
Číslo periodika v rámci svazku
7-9
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
2229-2233
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—