Capping of InAs/GaAs quantum dots for GaAs based lasers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00377124" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00377124 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.5772/2645" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.5772/2645</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.5772/2645" target="_blank" >10.5772/2645</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Capping of InAs/GaAs quantum dots for GaAs based lasers
Popis výsledku v původním jazyce
Growth conditions of InAs/GaAs QD layers determine such parameters as density, homogeneity and original size of QDs. The aim of the chapter is to elucidate the processes during QD capping by reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) in situ measurementsand to discuss the influence of the capping layer composition and its growth parameters (like thickness, growth temperature and growth rate) on the structural and optical properties of InAs/GaAs quantum dots. Three most common types of capping layers arestudied: simple GaAs capping layer, InGaAs or GaAsSb strain reducing layers (SRL). Advantages and disadvantages of both types of SRLs will be discussed. Different types of In flushing method during the growth of capping layers and their importance are discussed at the end of the chapter.
Název v anglickém jazyce
Capping of InAs/GaAs quantum dots for GaAs based lasers
Popis výsledku anglicky
Growth conditions of InAs/GaAs QD layers determine such parameters as density, homogeneity and original size of QDs. The aim of the chapter is to elucidate the processes during QD capping by reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) in situ measurementsand to discuss the influence of the capping layer composition and its growth parameters (like thickness, growth temperature and growth rate) on the structural and optical properties of InAs/GaAs quantum dots. Three most common types of capping layers arestudied: simple GaAs capping layer, InGaAs or GaAsSb strain reducing layers (SRL). Advantages and disadvantages of both types of SRLs will be discussed. Different types of In flushing method during the growth of capping layers and their importance are discussed at the end of the chapter.
Klasifikace
Druh
C - Kapitola v odborné knize
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název knihy nebo sborníku
Quantum Dots - A Variety of New Applications
ISBN
978-953-51-0483-4
Počet stran výsledku
20
Strana od-do
27-46
Počet stran knihy
280
Název nakladatele
InTech
Místo vydání
Rijeka
Kód UT WoS kapitoly
—