Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432780" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432780 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy

Popis výsledku v původním jazyce

The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer.

Název v anglickém jazyce

Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy

Popis výsledku anglicky

The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník příspěvků 4. studentské vědecké konference fyziky pevných látek

ISBN

978-80-01-05565-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

84-89

Název nakladatele

Česká technika-nakladatelství ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Nové Hrady

Datum konání akce

23. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—