GaAsSb/InAs QDs structures for advanced telecom lasers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00469569" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00469569 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GaAsSb/InAs QDs structures for advanced telecom lasers
Popis výsledku v původním jazyce
Preparation and properties of InAs/GaAs quantum dots (QDs) prepared by MOVPE technology covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) with long emission wavelength suitable for telecommunication applications will be presented. Shift of the emission wavelength was achieved by introduction of GaAsSb SRL. SRL with high Sb concentration preserves QD size (which is about 15 nm wide at the base and 5 nm high), decreases the strain inside InAs QDs and decreases the barrier height in valence band. All these phenomena increase the photoluminescence (PL) wavelength. Different antimony content profile can significantly change the PL properties of such QD structures. Furthermore, high content of antimony leads to a creation of type II heterostructure for which a redshift of the PL wavelength with decreased PL intensity is typical. On this kind of structure, extremely long (record) emission wavelength at 1.8 μm was achieved. However low PL intensity may complicate light emitting applications.
Název v anglickém jazyce
GaAsSb/InAs QDs structures for advanced telecom lasers
Popis výsledku anglicky
Preparation and properties of InAs/GaAs quantum dots (QDs) prepared by MOVPE technology covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) with long emission wavelength suitable for telecommunication applications will be presented. Shift of the emission wavelength was achieved by introduction of GaAsSb SRL. SRL with high Sb concentration preserves QD size (which is about 15 nm wide at the base and 5 nm high), decreases the strain inside InAs QDs and decreases the barrier height in valence band. All these phenomena increase the photoluminescence (PL) wavelength. Different antimony content profile can significantly change the PL properties of such QD structures. Furthermore, high content of antimony leads to a creation of type II heterostructure for which a redshift of the PL wavelength with decreased PL intensity is typical. On this kind of structure, extremely long (record) emission wavelength at 1.8 μm was achieved. However low PL intensity may complicate light emitting applications.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LO1603" target="_blank" >LO1603: Centrum technologie a pokročilé strukturní analýzy aplikačně významných materiálů</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ASDAM 2016
ISBN
978-150903083-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
57-60
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Danvers
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
13. 11. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—