Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Dielectric response functions of the (000-1), (10-13) GaN single crystalline and disordered surfaces studied by reflection electron energy loss spectroscopy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00374550" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00374550 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3622674" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3622674</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3622674" target="_blank" >10.1063/1.3622674</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Dielectric response functions of the (000-1), (10-13) GaN single crystalline and disordered surfaces studied by reflection electron energy loss spectroscopy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Polar GaN(000-1) (1x1), semipolar GaN(10-13) surfaces prepared in NH3 vapor, and their disordered counterparts are investigated by reflection electron energy loss spectroscopy (REELS) and low-energy electron diffraction. The electron energy loss functionis determined from the REELS within the framework of the semiclassical approach. Good agreement between experimental and theoretical functions is achieved at all angles for the disordered GaN surfaces and for the ordered surfaces measured at a kinetic energy of 1000 eV. The agreement is worse for the crystals measured at 200 eV, which is explained by the coherent scattering contributions at low energies. The optical constants of the GaN surfaces are derived from the computed dielectric functions. The surface optical properties of a disordered GaN surface are found to be different from the GaN crystals. There are pronounced changes in the electronic band structure for disordered GaN due to the preferential sputtering of nitrogen.

  • Název v anglickém jazyce

    Dielectric response functions of the (000-1), (10-13) GaN single crystalline and disordered surfaces studied by reflection electron energy loss spectroscopy

  • Popis výsledku anglicky

    Polar GaN(000-1) (1x1), semipolar GaN(10-13) surfaces prepared in NH3 vapor, and their disordered counterparts are investigated by reflection electron energy loss spectroscopy (REELS) and low-energy electron diffraction. The electron energy loss functionis determined from the REELS within the framework of the semiclassical approach. Good agreement between experimental and theoretical functions is achieved at all angles for the disordered GaN surfaces and for the ordered surfaces measured at a kinetic energy of 1000 eV. The agreement is worse for the crystals measured at 200 eV, which is explained by the coherent scattering contributions at low energies. The optical constants of the GaN surfaces are derived from the computed dielectric functions. The surface optical properties of a disordered GaN surface are found to be different from the GaN crystals. There are pronounced changes in the electronic band structure for disordered GaN due to the preferential sputtering of nitrogen.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GPP204%2F10%2FP028" target="_blank" >GPP204/10/P028: Ztráty energie elektronů u povrchů pevných látek</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Applied Physics

  • ISSN

    0021-8979

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    110

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    "043507/1"-"043507/7"

  • Kód UT WoS článku

    000294484300027

  • EID výsledku v databázi Scopus