Atomic and electronic structure of N-terminated GaN(0001) (1 1) surface

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00390686" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00390686 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/398/1/012013" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/398/1/012013</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/398/1/012013" target="_blank" >10.1088/1742-6596/398/1/012013</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Atomic and electronic structure of N-terminated GaN(0001) (1 1) surface

Popis výsledku v původním jazyce

The atomic and electronic structures of the polar GaN(000-1) surface were investigated by x-ray photoelectron diffraction (XPD) and ab initio density-functional theory (DFT) calculations. A well-ordered GaN(000-1) surface of a free-standing GaN wafer wasprepared by sample annealing in a NH3 atmosphere. A N-terminated bare (1 x1) structure was confirmed. An electronic band structure was investigated by DFT calculations. The surface state at the top of the valence band was localized for a relaxed (1x1) structure. The energy loss function (ELF) was computed in the framework of the many-body perturbation theory. Plasmon loss peak positions were found to be in good agreement with reflection-electron energy loss spectroscopy (REELS) measurements.

Název v anglickém jazyce

Atomic and electronic structure of N-terminated GaN(0001) (1 1) surface

Popis výsledku anglicky

The atomic and electronic structures of the polar GaN(000-1) surface were investigated by x-ray photoelectron diffraction (XPD) and ab initio density-functional theory (DFT) calculations. A well-ordered GaN(000-1) surface of a free-standing GaN wafer wasprepared by sample annealing in a NH3 atmosphere. A N-terminated bare (1 x1) structure was confirmed. An electronic band structure was investigated by DFT calculations. The surface state at the top of the valence band was localized for a relaxed (1x1) structure. The energy loss function (ELF) was computed in the framework of the many-body perturbation theory. Plasmon loss peak positions were found to be in good agreement with reflection-electron energy loss spectroscopy (REELS) measurements.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GPP204%2F10%2FP028" target="_blank" >GPP204/10/P028: Ztráty energie elektronů u povrchů pevných látek</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics: Conference Series

ISSN

1742-6588

e-ISSN

—

Svazek periodika

398

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1-6

Kód UT WoS článku

000314465000013

EID výsledku v databázi Scopus

—