Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Study of thin films of LiNbO3 using FTIR and Raman spectroscopy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00374556" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00374556 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Study of thin films of LiNbO3 using FTIR and Raman spectroscopy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Lithium niobate (LiNbO3) is a material which can be used in many applications. LiNbO3 thin films were studied for the development of doped planar waveguides using Pulsed Laser Deposition (PLD) method from two targets. The films were deposited by PLD on SiO2/Si and (0001) sapphire substrates at temperatures 650°C, 700°C, 750°C, from one crystalline and two sintered LiNbO3 targets using KrF excimer laser. The film thickness was 680 nanometers. Two techniques - Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and Raman Spectroscopy - are used to characterize the dependence of the deposited thin films on the deposition conditions. These methods characterize the materials by monitoring their phonons whose spectra are sensitive to film deposition parameters. Bulk LiNbO3 has rhombohedral crystal structure with two chemical units per primitive cell, it means, that 30 degrees of freedom are distributed between A1 and E irreducible representations.

  • Název v anglickém jazyce

    Study of thin films of LiNbO3 using FTIR and Raman spectroscopy

  • Popis výsledku anglicky

    Lithium niobate (LiNbO3) is a material which can be used in many applications. LiNbO3 thin films were studied for the development of doped planar waveguides using Pulsed Laser Deposition (PLD) method from two targets. The films were deposited by PLD on SiO2/Si and (0001) sapphire substrates at temperatures 650°C, 700°C, 750°C, from one crystalline and two sintered LiNbO3 targets using KrF excimer laser. The film thickness was 680 nanometers. Two techniques - Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and Raman Spectroscopy - are used to characterize the dependence of the deposited thin films on the deposition conditions. These methods characterize the materials by monitoring their phonons whose spectra are sensitive to film deposition parameters. Bulk LiNbO3 has rhombohedral crystal structure with two chemical units per primitive cell, it means, that 30 degrees of freedom are distributed between A1 and E irreducible representations.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Photonics, Devices, and Systems V

  • ISBN

    9780819489531

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    "830611/1"-"830611/6"

  • Název nakladatele

    SPIE

  • Místo vydání

    Bellingham

  • Místo konání akce

    Prague

  • Datum konání akce

    24. 8. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000297582500037