Improved amorphous/crystalline silicon interface passivation by hydrogen plasma treatment
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00375018" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00375018 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3641899" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3641899</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3641899" target="_blank" >10.1063/1.3641899</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Improved amorphous/crystalline silicon interface passivation by hydrogen plasma treatment
Popis výsledku v původním jazyce
Silicon heterojunction solar cells have high open-circuit voltages thanks to excellent passivation of the wafer surfaces by thin intrinsic amorphous silicon (a-Si:H) layers deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition. We show a dramatic improvement in passivation when H2 plasma treatments are used during ?lm deposition. Although the bulk of the a-Si:H layers is slightly more disordered after H2 treatment, the hydrogenation of the wafer/?lm interface is nevertheless improved with as-depositedlayers. Employing H2 treatments, 4 cm2 heterojunction solar cells were produced with industry-compatible processes, yielding open-circuit voltages up to 725 mV and aperture area ef?ciencies up to 21%.
Název v anglickém jazyce
Improved amorphous/crystalline silicon interface passivation by hydrogen plasma treatment
Popis výsledku anglicky
Silicon heterojunction solar cells have high open-circuit voltages thanks to excellent passivation of the wafer surfaces by thin intrinsic amorphous silicon (a-Si:H) layers deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition. We show a dramatic improvement in passivation when H2 plasma treatments are used during ?lm deposition. Although the bulk of the a-Si:H layers is slightly more disordered after H2 treatment, the hydrogenation of the wafer/?lm interface is nevertheless improved with as-depositedlayers. Employing H2 treatments, 4 cm2 heterojunction solar cells were produced with industry-compatible processes, yielding open-circuit voltages up to 725 mV and aperture area ef?ciencies up to 21%.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Svazek periodika
99
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
"123506/1"-"123506/3"
Kód UT WoS článku
000295853500075
EID výsledku v databázi Scopus
—