Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Tenkovrstvý solární článek na bázi hydrogenizovaného amorfního křemíku s vysoce zředěnou absorpční vrstvou

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F09%3A00502931" target="_blank" >RIV/49777513:23640/09:00502931 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Tenkovrstvý solární článek na bázi hydrogenizovaného amorfního křemíku s vysoce zředěnou absorpční vrstvou

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Tenkovrstvý solární článek na bázi hydrogenizovaného amorfního křemíku určený k přímé konverzi slunečního záření na elektrickou energii s účinností této přeměny až 6.93% při standardizovaném osvětlení AM1.5. Pro snížení počtu rekombinačních center v absorpční vrstvě jsou volné křemíkové vazby pasivovány vodíkem. Absorpční vrstva tedy roste ze dvou plynných prekurzorů: silanu (SiH4) a vodíku (H2) v poměru R=(H2)/(SiH4)=20. S vyšším vodíkovým zředěním (R) roste optická šířka zakázaného pásu absorpční vrstvy a tím narůstá hodnota napětí naprázdno (Voc).

  • Název v anglickém jazyce

    Thin film solar cell on basis of hydrogenated amorphous silicon with highly deluted absorption layer

  • Popis výsledku anglicky

    We present the thin-film solar cell based on the hydrogenated amorphous silicon for conversion of solar radiation into direct current electricity with the efficiency up to 6.93% related to the standard illumination conditions AM1.5. Free silicon bonds were passivated by the hydrogen in order to reduce the recombination centres in the absorption layer. Therefore, the absorption layer is formed from two gaseous precursors: silane (SiH4) and hyrogen (H2) in the ratio of R=(H2)/(SiH4)=20. The optical band gap of the absorption layer was increased by the higher hydrogen dilution (R), and as a consequence, rising the open-circuit voltage (Voc).

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JR - Ostatní strojírenství

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    NTC-FV-11-09

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    Účinnost fotovoltaické přeměny ?=6.93%, napětí naprázdno Voc=0.863V, fill faktor FF=0.712

  • Ekonomické parametry

    Optimalizace technologického procesu výroby vede ke zlepšení parametrů solárních článků se současným snižováním výrobních nákladů

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    49777513

  • Název vlastníka

    Západočeská univerzita

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem