The effect of In-flush on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00377179" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00377179 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3681329" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3681329</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3681329" target="_blank" >10.1063/1.3681329</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The effect of In-flush on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
The effect of the In-flush technique on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots has been investigated by low temperature microluminescence measurements of the splitting of the emission lines related to single neutral excitons confined to the quantum dots. It is proposed that significantly smaller anisotropy in a structure grown by the In-flush technique as compared to a structure grown without this procedure is due to the reduction in the strain generated within the GaAs barrier when using theIn-flush procedure.
Název v anglickém jazyce
The effect of In-flush on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku anglicky
The effect of the In-flush technique on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots has been investigated by low temperature microluminescence measurements of the splitting of the emission lines related to single neutral excitons confined to the quantum dots. It is proposed that significantly smaller anisotropy in a structure grown by the In-flush technique as compared to a structure grown without this procedure is due to the reduction in the strain generated within the GaAs barrier when using theIn-flush procedure.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
111
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
"033510-1"-"033510-4"
Kód UT WoS článku
000301029800026
EID výsledku v databázi Scopus
—