Quantum confinement in InAs/GaAs systems with self-assembled quantum dots grown using in-flush technique

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00373389" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00373389 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Quantum confinement in InAs/GaAs systems with self-assembled quantum dots grown using in-flush technique
Popis výsledku v původním jazyce
The effect of In-flush technique application to the MBE-grown structure with self-assembled quantum dots by the microphotoluminescence from structures with the InAs/GaAs dots grown with and without the In-flush has been investigated. The In-flush leads not only to better uniformity of self-assembled quantum dots but also to reduction of lateral potential, anisotropy, which is believed to result in the neutral exciton splitting.
Název v anglickém jazyce
Quantum confinement in InAs/GaAs systems with self-assembled quantum dots grown using in-flush technique
Popis výsledku anglicky
The effect of In-flush technique application to the MBE-grown structure with self-assembled quantum dots by the microphotoluminescence from structures with the InAs/GaAs dots grown with and without the In-flush has been investigated. The In-flush leads not only to better uniformity of self-assembled quantum dots but also to reduction of lateral potential, anisotropy, which is believed to result in the neutral exciton splitting.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)