Studium InAs kvantových teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00084538" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00084538 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/07:00084538 RIV/67985556:_____/07:00084538

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

Self assembled InAs quantum dots in GaAs/GaAlAs structures were examined by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy. The studied structures were grown by metal-organic chemical vapor deposition. Quantum dots with an image of elliptical shapewere studied. Ballistic current-voltage characteristics through the quantum dot and outside the quantum dot are compared in the voltage range of 0,55 V to 2 V. In the voltage range from 0.55 V to 0.8 V examples of ballistic characteristics and their derivatives are given.

Název v anglickém jazyce

Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy

Popis výsledku anglicky

Self assembled InAs quantum dots in GaAs/GaAlAs structures were examined by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy. The studied structures were grown by metal-organic chemical vapor deposition. Quantum dots with an image of elliptical shapewere studied. Ballistic current-voltage characteristics through the quantum dot and outside the quantum dot are compared in the voltage range of 0,55 V to 2 V. In the voltage range from 0.55 V to 0.8 V examples of ballistic characteristics and their derivatives are given.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F05%2F0242" target="_blank" >GA202/05/0242: Prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie na jednotlivých InAs/GaAs kvantových tečkách uzavřených mezi AlGaAs barierami</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

91

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

"042110.1"-"042110.3"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—