Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00341441" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00341441 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/09:00341441 RIV/67985556:_____/09:00341441
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE
Popis výsledku v původním jazyce
Self-assembled InAs quantum dots (SAQDs) in GaAs/GaAlAs structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) of similar size was examined by ballistic electron emission spectroscopy. Ballistic current-voltage characteristics through the QD in the voltage range from 0.55 to 0.9 V (range where the presence of resonance states of QD is expected) with its derivative (the derivation of the spectroscopic characteristics represents quantum levels in the QD) are given.Differences in the intensities and sharpnesses of the QD levels for MBE and MOVPE grown QDs are observed.
Název v anglickém jazyce
Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE
Popis výsledku anglicky
Self-assembled InAs quantum dots (SAQDs) in GaAs/GaAlAs structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) of similar size was examined by ballistic electron emission spectroscopy. Ballistic current-voltage characteristics through the QD in the voltage range from 0.55 to 0.9 V (range where the presence of resonance states of QD is expected) with its derivative (the derivation of the spectroscopic characteristics represents quantum levels in the QD) are given.Differences in the intensities and sharpnesses of the QD levels for MBE and MOVPE grown QDs are observed.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F05%2F0242" target="_blank" >GA202/05/0242: Prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie na jednotlivých InAs/GaAs kvantových tečkách uzavřených mezi AlGaAs barierami</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Microelectronics Journal
ISSN
0026-2692
e-ISSN
—
Svazek periodika
40
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000264694700032
EID výsledku v databázi Scopus
—