Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00341441" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00341441 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/67985882:_____/09:00341441 RIV/67985556:_____/09:00341441

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Self-assembled InAs quantum dots (SAQDs) in GaAs/GaAlAs structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) of similar size was examined by ballistic electron emission spectroscopy. Ballistic current-voltage characteristics through the QD in the voltage range from 0.55 to 0.9 V (range where the presence of resonance states of QD is expected) with its derivative (the derivation of the spectroscopic characteristics represents quantum levels in the QD) are given.Differences in the intensities and sharpnesses of the QD levels for MBE and MOVPE grown QDs are observed.

  • Název v anglickém jazyce

    Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE

  • Popis výsledku anglicky

    Self-assembled InAs quantum dots (SAQDs) in GaAs/GaAlAs structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) of similar size was examined by ballistic electron emission spectroscopy. Ballistic current-voltage characteristics through the QD in the voltage range from 0.55 to 0.9 V (range where the presence of resonance states of QD is expected) with its derivative (the derivation of the spectroscopic characteristics represents quantum levels in the QD) are given.Differences in the intensities and sharpnesses of the QD levels for MBE and MOVPE grown QDs are observed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA202%2F05%2F0242" target="_blank" >GA202/05/0242: Prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie na jednotlivých InAs/GaAs kvantových tečkách uzavřených mezi AlGaAs barierami</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Microelectronics Journal

  • ISSN

    0026-2692

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    40

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000264694700032

  • EID výsledku v databázi Scopus