Quantum dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00522011" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00522011 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/9781119313021.ch6" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/9781119313021.ch6</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/9781119313021.ch6" target="_blank" >10.1002/9781119313021.ch6</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
This chapter focuses on quantum dots (QDs) embedded inside a semiconductor structure. It talks about metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) QD preparation only. One can distinguish QD types according to growth modes, growth procedures, materials used, and structures with strain‐reducing layers, types of interfaces, and spatial arrangement of QDs (uncoordinated, array, and single/individual QDs). The three main growth technological procedures used for MOVPE preparation of QDs embedded in the structure are self‐assembled Stranski–Krastanov (SK) growth mode, formation of QDs in prepatterned inverted pyramids, and droplet epitaxy. The most widely used procedure is self‐assembling of QDs in SK growth mode. MOVPE growth parameters such as growth temperature, material type of precursors, reactor pressure, precursor flow ratio, total pressure and flow, complex purity of materials, precursors, and reactor setup can strongly influence the structure and device parameters, as well.n
Název v anglickém jazyce
Quantum dots
Popis výsledku anglicky
This chapter focuses on quantum dots (QDs) embedded inside a semiconductor structure. It talks about metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) QD preparation only. One can distinguish QD types according to growth modes, growth procedures, materials used, and structures with strain‐reducing layers, types of interfaces, and spatial arrangement of QDs (uncoordinated, array, and single/individual QDs). The three main growth technological procedures used for MOVPE preparation of QDs embedded in the structure are self‐assembled Stranski–Krastanov (SK) growth mode, formation of QDs in prepatterned inverted pyramids, and droplet epitaxy. The most widely used procedure is self‐assembling of QDs in SK growth mode. MOVPE growth parameters such as growth temperature, material type of precursors, reactor pressure, precursor flow ratio, total pressure and flow, complex purity of materials, precursors, and reactor setup can strongly influence the structure and device parameters, as well.n
Klasifikace
Druh
C - Kapitola v odborné knize
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LO1603" target="_blank" >LO1603: Centrum technologie a pokročilé strukturní analýzy aplikačně významných materiálů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název knihy nebo sborníku
Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE): Growth, materials properties, and applications
ISBN
9781119313014
Počet stran výsledku
42
Strana od-do
175-216
Počet stran knihy
584
Název nakladatele
John Wiley & Sons Ltd.
Místo vydání
Chichester
Kód UT WoS kapitoly
—