Structures with combined In(Ga)As and Ga(As)Sb quantum dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00399204" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00399204 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Structures with combined In(Ga)As and Ga(As)Sb quantum dots

Popis výsledku v původním jazyce

We will present results obtained on MOVPE structures with two QD layers from In(Ga)As and Ga(As)Sb in which combined QDs are self assembled one on the top of the other. The Sb atoms segregate above InAs QD, which helps to form a new self assembled combined QD structure with In(Ga)As QD for electrons and holes and Ga(As)Sb QD for holes only. A variety of different GaAsSb QD morphology depending on the GaAsSb composition can be achieved. AFM images of lens shaped, doughnut and laterally doubled Ga(As)Sb QDs will be presented. This combined QD system forms type I or type II band alignment depending on the QDs composition. However, we have experimentally demonstrated that the type I/type II transition does not depend only on the composition of the Ga(As)Sblayer, but also on other structure parameters, like QD size or intensity of electric field. The behavior of this structure in electrical field will be demonstrated and potential application will be discussed.

Název v anglickém jazyce

Structures with combined In(Ga)As and Ga(As)Sb quantum dots

Popis výsledku anglicky

We will present results obtained on MOVPE structures with two QD layers from In(Ga)As and Ga(As)Sb in which combined QDs are self assembled one on the top of the other. The Sb atoms segregate above InAs QD, which helps to form a new self assembled combined QD structure with In(Ga)As QD for electrons and holes and Ga(As)Sb QD for holes only. A variety of different GaAsSb QD morphology depending on the GaAsSb composition can be achieved. AFM images of lens shaped, doughnut and laterally doubled Ga(As)Sb QDs will be presented. This combined QD system forms type I or type II band alignment depending on the QDs composition. However, we have experimentally demonstrated that the type I/type II transition does not depend only on the composition of the Ga(As)Sblayer, but also on other structure parameters, like QD size or intensity of electric field. The behavior of this structure in electrical field will be demonstrated and potential application will be discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-15286S" target="_blank" >GA13-15286S: Nano-heterostruktury s hlubokou kvantovou jámou na bázi GaSb</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

EWMOVPE XV

ISBN

978-3-89336-870-9

ISSN

1866-1777

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

381-384

Název nakladatele

Forschungszentrum Jülich GmbH

Místo vydání

Jülich

Místo konání akce

Aachen

Datum konání akce

2. 6. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—