Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films excited by 442 nm HeCd laser measured by conductive atomic force microscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00386854" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00386854 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.015" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.015</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.015" target="_blank" >10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.015</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films excited by 442 nm HeCd laser measured by conductive atomic force microscopy

Popis výsledku v původním jazyce

Microcrystalline silicon (?c-Si:H) thin films were studied by photo-conductive atomic force microscopy (PC-AFM) under top side illumination by HeCd 442 nm laser and/or by scattered light of AFM detection diode. In order to make the top side illuminationpossible, so called ?nose type cantilevers, with the tip at the end of cantilever, were used for local photo-current map measurements. Local current intensity under different illumination is discussed mainly from a point of view of the absorption depth of the used light. Diffusion length of charge carriers 300 nm was estimated from comparison of the current levels under different illumination.

Název v anglickém jazyce

Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films excited by 442 nm HeCd laser measured by conductive atomic force microscopy

Popis výsledku anglicky

Microcrystalline silicon (?c-Si:H) thin films were studied by photo-conductive atomic force microscopy (PC-AFM) under top side illumination by HeCd 442 nm laser and/or by scattered light of AFM detection diode. In order to make the top side illuminationpossible, so called ?nose type cantilevers, with the tip at the end of cantilever, were used for local photo-current map measurements. Local current intensity under different illumination is discussed mainly from a point of view of the absorption depth of the used light. Diffusion length of charge carriers 300 nm was estimated from comparison of the current levels under different illumination.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Non-Crystalline Solids

ISSN

0022-3093

e-ISSN

—

Svazek periodika

358

Číslo periodika v rámci svazku

17

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

2082-2085

Kód UT WoS článku

000310394700037

EID výsledku v databázi Scopus

—