Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films measured by conductive atomic force microscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00372226" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00372226 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201105413" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201105413</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201105413" target="_blank" >10.1002/pssr.201105413</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films measured by conductive atomic force microscopy

Popis výsledku v původním jazyce

Local currents measured under standard conductive atomic force microscopy (C-AFM) conditions on microcrystalline silicon (?c-Si:H) thin films were studied. It was shown that the AFM detection diode illuminating the AFM cantilever (see the figure on the right side) 100 enhanced the current flows through the photosensitive ?c-Si:H layer. The local current map and current?voltage characteristics were measured under dark conditions. This study enables mapping of both the dark current and photocurrent.

Název v anglickém jazyce

Local photoconductivity of microcrystalline silicon thin films measured by conductive atomic force microscopy

Popis výsledku anglicky

Local currents measured under standard conductive atomic force microscopy (C-AFM) conditions on microcrystalline silicon (?c-Si:H) thin films were studied. It was shown that the AFM detection diode illuminating the AFM cantilever (see the figure on the right side) 100 enhanced the current flows through the photosensitive ?c-Si:H layer. The local current map and current?voltage characteristics were measured under dark conditions. This study enables mapping of both the dark current and photocurrent.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi-Rapid Research Letters

ISSN

1862-6254

e-ISSN

—

Svazek periodika

5

Číslo periodika v rámci svazku

10

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

373-375

Kód UT WoS článku

000297747600006

EID výsledku v databázi Scopus

—