Mn doped GaN thin films and nanoparticles
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00388009" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00388009 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389005:_____/12:00388009 RIV/60461373:22310/12:43893525 RIV/44555601:13440/12:43884872 RIV/00216208:11320/12:10130659
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2012.046754" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2012.046754</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2012.046754" target="_blank" >10.1504/IJNT.2012.046754</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Mn doped GaN thin films and nanoparticles
Popis výsledku v původním jazyce
Magnetically doped GaN in the form of thin films and nanoparticles has been investigated. The Mn doped GaN layers were grown on sapphire substrates by MOVPE. The influence of deposition condition on surface morphology, magnetic and structural propertieswas investigated. GaN:Mn epitaxial layers exhibit magnetic moment persisting up to room temperature. The magnetically doped layers were also prepared by ion implantation of GaN layers by Mn. The influence of free carrier concentration and other parameters on magnetic properties were investigated. The pure and transition metal (Cr, Mn and Fe) doped GaN nanoparticles were synthesised by decomposition of fluoride-based complex compound in ammonia atmosphere. Mn doped nanoparticles exhibit pure paramagneticbehaviour.
Název v anglickém jazyce
Mn doped GaN thin films and nanoparticles
Popis výsledku anglicky
Magnetically doped GaN in the form of thin films and nanoparticles has been investigated. The Mn doped GaN layers were grown on sapphire substrates by MOVPE. The influence of deposition condition on surface morphology, magnetic and structural propertieswas investigated. GaN:Mn epitaxial layers exhibit magnetic moment persisting up to room temperature. The magnetically doped layers were also prepared by ion implantation of GaN layers by Mn. The influence of free carrier concentration and other parameters on magnetic properties were investigated. The pure and transition metal (Cr, Mn and Fe) doped GaN nanoparticles were synthesised by decomposition of fluoride-based complex compound in ammonia atmosphere. Mn doped nanoparticles exhibit pure paramagneticbehaviour.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
International Journal of Nanotechnology
ISSN
1475-7435
e-ISSN
—
Svazek periodika
9
Číslo periodika v rámci svazku
8-9
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
16
Strana od-do
809-824
Kód UT WoS článku
000303800500009
EID výsledku v databázi Scopus
—