Improvement of scintillation properties in Pr doped Lu3Al5O12 scintillator by Ga and Y substitutions
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00389331" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00389331 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2191621" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2191621</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2191621" target="_blank" >10.1109/TNS.2012.2191621</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Improvement of scintillation properties in Pr doped Lu3Al5O12 scintillator by Ga and Y substitutions
Popis výsledku v původním jazyce
Pr: (Lu,Y)3(Ga,Al)5O12 single crystals were grown by the micro-pulling down (m-PD) method. Luminescence and scintillation properties were measured. The substitution phenomenon in the Lu3+ sites with Y3+ and Al3+ sites with Ga3+ in garnet structure has been studied. 5d-4f emission within 300?400 nm accompanied by weak 4f-4f emission in 480?650 nm were observed in Ga 0?60 at.% substituted samples. Only Pr3+ 4f-4f emission was observed in Ga 80 at.% substituted sample. The light yield of Pr1%:Lu2Y1Ga2Al2O12 sample was almost the same as that of Cz grown Pr:LuAG standard. Two-component scintillation decay of 17.9 ns (93%) and 68.0 ns (7%) were obtained using the PMT and digital oscilloscope TDS5032B. Slower decay components were reduced by Ga and Y substitution in LuAG structure.
Název v anglickém jazyce
Improvement of scintillation properties in Pr doped Lu3Al5O12 scintillator by Ga and Y substitutions
Popis výsledku anglicky
Pr: (Lu,Y)3(Ga,Al)5O12 single crystals were grown by the micro-pulling down (m-PD) method. Luminescence and scintillation properties were measured. The substitution phenomenon in the Lu3+ sites with Y3+ and Al3+ sites with Ga3+ in garnet structure has been studied. 5d-4f emission within 300?400 nm accompanied by weak 4f-4f emission in 480?650 nm were observed in Ga 0?60 at.% substituted samples. Only Pr3+ 4f-4f emission was observed in Ga 80 at.% substituted sample. The light yield of Pr1%:Lu2Y1Ga2Al2O12 sample was almost the same as that of Cz grown Pr:LuAG standard. Two-component scintillation decay of 17.9 ns (93%) and 68.0 ns (7%) were obtained using the PMT and digital oscilloscope TDS5032B. Slower decay components were reduced by Ga and Y substitution in LuAG structure.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
IEEE Transactions on Nuclear Science
ISSN
0018-9499
e-ISSN
—
Svazek periodika
59
Číslo periodika v rámci svazku
5
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
2130-2134
Kód UT WoS článku
000310143300019
EID výsledku v databázi Scopus
—