Functionalization of silicon crystal surface by energetic cluster ion bombardment
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00390624" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00390624 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389005:_____/12:00390624
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2012.6782" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2012.6782</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2012.6782" target="_blank" >10.1166/jnn.2012.6782</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Functionalization of silicon crystal surface by energetic cluster ion bombardment
Popis výsledku v původním jazyce
We report the creation of a functional nanostructure on a Si crystal surface by 200 keV C60++ cluster ion bombardment (CIB). We found that the modified layer produced by CIB includes two sublayers.The top 24-nm-thick sublayer is an agglomeration of 5-nm-sized amorphous Si nanodots (a-Si NDs). The deeper 10-nm-thick sublayer is a transient layer of disordered Si as an interface between the a-Si top sublayer and the bulk Si(100). The top a-Si sublayer and the nc-Si transient layer are formed by the localheating effect and shock wave effect, respectively,induced by the cluster ion impacts. The photoluminescence (PL) spectra revealed an emission line centered at a photon energy of 1.92 eV. The absorption spectra of the modified samples exhibit enhanced light absorption at this photon energy. The parameters of the PL line require ascribing the emission origin to the quantum-confinement-induced optical transitions in the a-Si nanodots.
Název v anglickém jazyce
Functionalization of silicon crystal surface by energetic cluster ion bombardment
Popis výsledku anglicky
We report the creation of a functional nanostructure on a Si crystal surface by 200 keV C60++ cluster ion bombardment (CIB). We found that the modified layer produced by CIB includes two sublayers.The top 24-nm-thick sublayer is an agglomeration of 5-nm-sized amorphous Si nanodots (a-Si NDs). The deeper 10-nm-thick sublayer is a transient layer of disordered Si as an interface between the a-Si top sublayer and the bulk Si(100). The top a-Si sublayer and the nc-Si transient layer are formed by the localheating effect and shock wave effect, respectively,induced by the cluster ion impacts. The photoluminescence (PL) spectra revealed an emission line centered at a photon energy of 1.92 eV. The absorption spectra of the modified samples exhibit enhanced light absorption at this photon energy. The parameters of the PL line require ascribing the emission origin to the quantum-confinement-induced optical transitions in the a-Si nanodots.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
ISSN
1533-4880
e-ISSN
—
Svazek periodika
12
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
9136-9141
Kód UT WoS článku
000315172400041
EID výsledku v databázi Scopus
—