Controllable fabrication of amorphous Si layer by energetic cluster ion bombardment

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00395956" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00395956 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61389005:_____/13:00395956

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2013.05.017" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2013.05.017</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2013.05.017" target="_blank" >10.1016/j.vacuum.2013.05.017</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Controllable fabrication of amorphous Si layer by energetic cluster ion bombardment

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the fabrication of an amorphous Si (a-Si) thin layer by means of bombardment of a Si(100) surface using monoenergetic C-60 cluster ions with energies from 50 keV to 400 keV. The C-60 cluster implantation produces nanogranules on the surfaceof a-Si layer detected by atomic force microscopy. The structural disorder and thickness of the modified layer were identified using Raman spectrometry, ion channelling, spectroscopic ellipsometry (SE) and transmission electron microscopy (TEM). According to SE and TEM data the thickness of a-Si layer gradually increases with cluster ion energy reaching to about 30 nm in the 200 keV C-60-bombarded Si sample. There is also thin layer of nanocrystalline Si found between the a-Si layer and pristine Si crystal. The obtained results represent an attractive method for creation of the a-Si layer as a functional material for opto- and nano-electronics. The study describes nanostructure created by cluster ion implantation as well as demonstrates

Název v anglickém jazyce

Controllable fabrication of amorphous Si layer by energetic cluster ion bombardment

Popis výsledku anglicky

We report on the fabrication of an amorphous Si (a-Si) thin layer by means of bombardment of a Si(100) surface using monoenergetic C-60 cluster ions with energies from 50 keV to 400 keV. The C-60 cluster implantation produces nanogranules on the surfaceof a-Si layer detected by atomic force microscopy. The structural disorder and thickness of the modified layer were identified using Raman spectrometry, ion channelling, spectroscopic ellipsometry (SE) and transmission electron microscopy (TEM). According to SE and TEM data the thickness of a-Si layer gradually increases with cluster ion energy reaching to about 30 nm in the 200 keV C-60-bombarded Si sample. There is also thin layer of nanocrystalline Si found between the a-Si layer and pristine Si crystal. The obtained results represent an attractive method for creation of the a-Si layer as a functional material for opto- and nano-electronics. The study describes nanostructure created by cluster ion implantation as well as demonstrates

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

98

Číslo periodika v rámci svazku

SI

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

49-55

Kód UT WoS článku

000322805900011

EID výsledku v databázi Scopus

—