Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Magnetotransport in graphene on silicon side of SiC

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00396254" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00396254 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/456/1/012038" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/456/1/012038</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/456/1/012038" target="_blank" >10.1088/1742-6596/456/1/012038</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Magnetotransport in graphene on silicon side of SiC

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Transport properties of graphene grown on silicon side of SiC have been studied. Magnetoresistance and Hall resistance have been measured at temperature between 4 and 100 K in magnetic field up to 22 T. Two periods of magneto-oscillations have been observed indicating two different conducting channels.

  • Název v anglickém jazyce

    Magnetotransport in graphene on silicon side of SiC

  • Popis výsledku anglicky

    Transport properties of graphene grown on silicon side of SiC have been studied. Magnetoresistance and Hall resistance have been measured at temperature between 4 and 100 K in magnetic field up to 22 T. Two periods of magneto-oscillations have been observed indicating two different conducting channels.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    HMF-20 - 20th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics

  • ISBN

  • ISSN

    1742-6588

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    IOP Publishing Ltd.

  • Místo vydání

    Bristol

  • Místo konání akce

    Chamonix

  • Datum konání akce

    22. 7. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000324548700038