Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High performance SiC detectors for MeV ion beamsgenerated by intense pulsed laser plasmas

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00399884" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00399884 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/61389021:_____/13:00399884

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2012.211" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2012.211</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2012.211" target="_blank" >10.1557/jmr.2012.211</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High performance SiC detectors for MeV ion beamsgenerated by intense pulsed laser plasmas

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In the recent years, there was a growing interest for electronic devices operating in very harsh environments, at elevated temperatures, high power, high frequency, and high radiation fields.1,2 In that context, silicon carbide (SiC) is one of the most promising wide band gap materials for these devices due to its high breakdown electric field, high electron saturation velocity, high operating temperature, and high radiation hardness properties.

  • Název v anglickém jazyce

    High performance SiC detectors for MeV ion beamsgenerated by intense pulsed laser plasmas

  • Popis výsledku anglicky

    In the recent years, there was a growing interest for electronic devices operating in very harsh environments, at elevated temperatures, high power, high frequency, and high radiation fields.1,2 In that context, silicon carbide (SiC) is one of the most promising wide band gap materials for these devices due to its high breakdown electric field, high electron saturation velocity, high operating temperature, and high radiation hardness properties.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Materials Research

  • ISSN

    0884-2914

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    28

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    87-93

  • Kód UT WoS článku

    000313589600013

  • EID výsledku v databázi Scopus