Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating of ALGaN/GaN high electron mobility transistors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00420780" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00420780 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68378271:_____/13:00425306

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1324" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1324</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1324" target="_blank" >10.1166/asem.2013.1324</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating of ALGaN/GaN high electron mobility transistors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A thermally-induced stress during the microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition of a thin nanocrystalline diamond (NCD) films on GaN/AlGaN heterostructures and their subsequent cooling off was simulated in the CFD-ACE+ software. The samples intended to use in HEMT (High Electron Mobility Transistor) devices were prepared by two different methods: (a) the continuous diamond film deposition followed by selective etching, and (b) the selective growth of patterned diamond films. The simulation results of structure of these two types of samples were compared.

  • Název v anglickém jazyce

    Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating of ALGaN/GaN high electron mobility transistors

  • Popis výsledku anglicky

    A thermally-induced stress during the microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition of a thin nanocrystalline diamond (NCD) films on GaN/AlGaN heterostructures and their subsequent cooling off was simulated in the CFD-ACE+ software. The samples intended to use in HEMT (High Electron Mobility Transistor) devices were prepared by two different methods: (a) the continuous diamond film deposition followed by selective etching, and (b) the selective growth of patterned diamond films. The simulation results of structure of these two types of samples were compared.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Advanced Science, Engineering and Medicine

  • ISSN

    2164-6627

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    5

  • Číslo periodika v rámci svazku

    6

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    522-526

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus