Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating of ALGaN/GaN high electron mobility transistors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00420780" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00420780 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/13:00425306
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1324" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1324</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1324" target="_blank" >10.1166/asem.2013.1324</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating of ALGaN/GaN high electron mobility transistors
Popis výsledku v původním jazyce
A thermally-induced stress during the microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition of a thin nanocrystalline diamond (NCD) films on GaN/AlGaN heterostructures and their subsequent cooling off was simulated in the CFD-ACE+ software. The samples intended to use in HEMT (High Electron Mobility Transistor) devices were prepared by two different methods: (a) the continuous diamond film deposition followed by selective etching, and (b) the selective growth of patterned diamond films. The simulation results of structure of these two types of samples were compared.
Název v anglickém jazyce
Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating of ALGaN/GaN high electron mobility transistors
Popis výsledku anglicky
A thermally-induced stress during the microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition of a thin nanocrystalline diamond (NCD) films on GaN/AlGaN heterostructures and their subsequent cooling off was simulated in the CFD-ACE+ software. The samples intended to use in HEMT (High Electron Mobility Transistor) devices were prepared by two different methods: (a) the continuous diamond film deposition followed by selective etching, and (b) the selective growth of patterned diamond films. The simulation results of structure of these two types of samples were compared.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Advanced Science, Engineering and Medicine
ISSN
2164-6627
e-ISSN
—
Svazek periodika
5
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
522-526
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—