Investigation of damage induced by intense femtosecond XUV pulses in silicon crystals by means of white beam synchrotron section topography

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00422836" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00422836 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2013.04.025" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2013.04.025</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2013.04.025" target="_blank" >10.1016/j.radphyschem.2013.04.025</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of damage induced by intense femtosecond XUV pulses in silicon crystals by means of white beam synchrotron section topography

Popis výsledku v původním jazyce

Silicon crystalline samples were exposed to intense single pulses of XUV radiation (?=13.5 nm) what lead to melting and ablation of the surface material. The deformation field around craters along the whole thickness of silicon wafers was observed by means of the synchrotron transmission section topography using the beam perpendicular to the surface of the sample.

Název v anglickém jazyce

Investigation of damage induced by intense femtosecond XUV pulses in silicon crystals by means of white beam synchrotron section topography

Popis výsledku anglicky

Silicon crystalline samples were exposed to intense single pulses of XUV radiation (?=13.5 nm) what lead to melting and ablation of the surface material. The deformation field around craters along the whole thickness of silicon wafers was observed by means of the synchrotron transmission section topography using the beam perpendicular to the surface of the sample.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Radiation Physics and Chemistry

ISSN

0969-806X

e-ISSN

—

Svazek periodika

93

Číslo periodika v rámci svazku

Dec

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

99-103

Kód UT WoS článku

000326910900019

EID výsledku v databázi Scopus

—