Local current measurements

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68378271:_____/13:00423743 - isvavai.cz

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local current measurements

Popis výsledku v původním jazyce

Two groups of techniques based on local current flow between probe and sample in a Scanning Probe Microscope (SPM) are reviewed. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy (STM, STS) is typically used in ultrahigh vacuum conditions for measurements of very high resolution images of atomic lattices surface reconstructions. We discuss its basics and related modeling and data interpretation approaches. Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) is more often used in ambient conditions, to map local electrical properties of samples and to estimate local sample resistance based material contrast maps. Tip-sample junction models and typical artifacts of C-AFM are discussed, being illustrated by measurements on semiconducting samples, like microcrystalline solar cells.

Název v anglickém jazyce

Local current measurements

Popis výsledku anglicky

Two groups of techniques based on local current flow between probe and sample in a Scanning Probe Microscope (SPM) are reviewed. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy (STM, STS) is typically used in ultrahigh vacuum conditions for measurements of very high resolution images of atomic lattices surface reconstructions. We discuss its basics and related modeling and data interpretation approaches. Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) is more often used in ambient conditions, to map local electrical properties of samples and to estimate local sample resistance based material contrast maps. Tip-sample junction models and typical artifacts of C-AFM are discussed, being illustrated by measurements on semiconducting samples, like microcrystalline solar cells.

Druh

C - Kapitola v odborné knize

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

LM2011026: Laboratoř nanostruktur a nanomateriálů

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název knihy nebo sborníku

Quantitative Data Processing in Scanning Probe Microscopy

ISBN

978-1-4557-3058-2

Počet stran výsledku

25

Strana od-do

221-245

Počet stran knihy

320

Název nakladatele

Elsevier

Místo vydání

Oxford

Kód UT WoS kapitoly

—