Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Local current measurements

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00423743" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00423743 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Local current measurements

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Two groups of techniques based on local current flow between probe and sample in a Scanning Probe Microscope (SPM) are reviewed. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy (STM, STS) is typically used in ultrahigh vacuum conditions for measurements of very high resolution images of atomic lattices surface reconstructions. We discuss its basics and related modeling and data interpretation approaches. Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) is more often used in ambient conditions, to map local electrical properties of samples and to estimate local sample resistance based material contrast maps. Tip-sample junction models and typical artifacts of C-AFM are discussed, being illustrated by measurements on semiconducting samples, like microcrystalline solar cells.

  • Název v anglickém jazyce

    Local current measurements

  • Popis výsledku anglicky

    Two groups of techniques based on local current flow between probe and sample in a Scanning Probe Microscope (SPM) are reviewed. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy (STM, STS) is typically used in ultrahigh vacuum conditions for measurements of very high resolution images of atomic lattices surface reconstructions. We discuss its basics and related modeling and data interpretation approaches. Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) is more often used in ambient conditions, to map local electrical properties of samples and to estimate local sample resistance based material contrast maps. Tip-sample junction models and typical artifacts of C-AFM are discussed, being illustrated by measurements on semiconducting samples, like microcrystalline solar cells.

Klasifikace

  • Druh

    C - Kapitola v odborné knize

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LM2011026" target="_blank" >LM2011026: Laboratoř nanostruktur a nanomateriálů</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název knihy nebo sborníku

    Quantitative Data Processing in Scanning Probe Microscopy

  • ISBN

    978-1-4557-3058-2

  • Počet stran výsledku

    25

  • Strana od-do

    221-245

  • Počet stran knihy

    320

  • Název nakladatele

    Elsevier

  • Místo vydání

    Oxford

  • Kód UT WoS kapitoly