Optimization of various technological processes in the fabrication of silicon based layers in SVCS process innovation high-temperature horizontal furnace SV-FUR reactors using multiphysics CFD-ace+ software

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00424296" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00424296 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optimization of various technological processes in the fabrication of silicon based layers in SVCS process innovation high-temperature horizontal furnace SV-FUR reactors using multiphysics CFD-ace+ software

Popis výsledku v původním jazyce

A fabrication cycle of silicon based layers in semiconductor and PV industry includes several high-temperature processes. While the atmospheric-pressure thermal oxidation and diffusion are used for the SiO2 deposition and phosphorus or boron doping, respectively, the low-pressure CVD or plasma-enhanced CVD processes are used for the preparation of passivation and anti-reflecting coatings. One of the most important requirements in the production is a good homogeneity of the surface film created by the particular reaction process both across the Si wafer and within the whole load. In this contribution will be shown that the multiphysics modelling using the dedicated software package is very helpful in the optimization of process parameters leading not only to better homogeneity, but also to bet terutilization of the process gases, shortening the process time and other benefits, finally leading to an improvement of the manufacturing profitability and competitiveness of the product.

Název v anglickém jazyce

Optimization of various technological processes in the fabrication of silicon based layers in SVCS process innovation high-temperature horizontal furnace SV-FUR reactors using multiphysics CFD-ace+ software

Popis výsledku anglicky

A fabrication cycle of silicon based layers in semiconductor and PV industry includes several high-temperature processes. While the atmospheric-pressure thermal oxidation and diffusion are used for the SiO2 deposition and phosphorus or boron doping, respectively, the low-pressure CVD or plasma-enhanced CVD processes are used for the preparation of passivation and anti-reflecting coatings. One of the most important requirements in the production is a good homogeneity of the surface film created by the particular reaction process both across the Si wafer and within the whole load. In this contribution will be shown that the multiphysics modelling using the dedicated software package is very helpful in the optimization of process parameters leading not only to better homogeneity, but also to bet terutilization of the process gases, shortening the process time and other benefits, finally leading to an improvement of the manufacturing profitability and competitiveness of the product.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modifikace jednotlivých technologických zařízení dávkových procesů pro zvýšení výtěžnosti výroby vysoce účinných křemíkových solárních článků s využitím modelovacích softwarů technologických procesů CFD-ACE+ a Flow Simulation.</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Perspektívne vákuové metódy a technológie (Perspective vacuum methods and technologies)

ISBN

978-80-971179-2-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

25-31

Název nakladatele

Slovenská vákuová spoločnosť

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Štrbské Pleso

Datum konání akce

10. 10. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—