Light trapping in thin-film solar cells measured by Raman spectroscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432256" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432256 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4895931" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4895931</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4895931" target="_blank" >10.1063/1.4895931</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Light trapping in thin-film solar cells measured by Raman spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

In this study, Raman spectroscopy is used as a tool to determine the light-trapping capability of textured ZnO front electrodes implemented in microcrystalline silicon (?c-Si:H) solar cells. Microcrystalline silicon films deposited on superstrates of various roughnesses are characterized by Raman micro-spectroscopy at excitation wavelengths of 442nm, 514nm, 633nm, and 785nm, respectively. The way to measure quantitatively and with a high level of reproducibility the Raman intensity is described in details. By varying the superstrate texture and with it the light trapping in the ?c-Si:H absorber layer, we find significant differences in the absolute Raman intensity measured in the near infrared wavelength region (where light trapping is relevant). A good agreement between the absolute Raman intensity and the external quantum efficiency of the ?c-Si:H solar cells is obtained, demonstrating the validity of the introduced method.

Název v anglickém jazyce

Light trapping in thin-film solar cells measured by Raman spectroscopy

Popis výsledku anglicky

In this study, Raman spectroscopy is used as a tool to determine the light-trapping capability of textured ZnO front electrodes implemented in microcrystalline silicon (?c-Si:H) solar cells. Microcrystalline silicon films deposited on superstrates of various roughnesses are characterized by Raman micro-spectroscopy at excitation wavelengths of 442nm, 514nm, 633nm, and 785nm, respectively. The way to measure quantitatively and with a high level of reproducibility the Raman intensity is described in details. By varying the superstrate texture and with it the light trapping in the ?c-Si:H absorber layer, we find significant differences in the absolute Raman intensity measured in the near infrared wavelength region (where light trapping is relevant). A good agreement between the absolute Raman intensity and the external quantum efficiency of the ?c-Si:H solar cells is obtained, demonstrating the validity of the introduced method.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

105

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"111106-1"-"111106-4"

Kód UT WoS článku

000342995800007

EID výsledku v databázi Scopus

—