Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Light trapping abilities of silicon thin films measured by Raman spectroscopy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00386621" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00386621 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.24" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.24</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.24" target="_blank" >10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.24</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Light trapping abilities of silicon thin films measured by Raman spectroscopy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Raman spectroscopy is used as a tool for measuring the light trapping abilities of thin crystalline silicon films for photovoltaic applications. Comparison of samples with different scattering characteristic is reported and the significant difference inthe absolute Raman intensities is explained by light trapping effects. Raman spectroscopy is proposed as a promising tool for in-line characterization of silicon thin films during fabrication of solar cell modules.

  • Název v anglickém jazyce

    Light trapping abilities of silicon thin films measured by Raman spectroscopy

  • Popis výsledku anglicky

    Raman spectroscopy is used as a tool for measuring the light trapping abilities of thin crystalline silicon films for photovoltaic applications. Comparison of samples with different scattering characteristic is reported and the significant difference inthe absolute Raman intensities is explained by light trapping effects. Raman spectroscopy is proposed as a promising tool for in-line characterization of silicon thin films during fabrication of solar cell modules.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition

  • ISBN

    3-936338-28-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    2431-2433

  • Název nakladatele

    WIP Wirtschaft und Infrastruktur GmbH & Co Planungs KG

  • Místo vydání

    München

  • Místo konání akce

    Frankfurt

  • Datum konání akce

    24. 9. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku