Preferred crystal orientation in Thin-Film nanocrystalline Silicon determined by Raman Spectroscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F13%3A43919654" target="_blank" >RIV/49777513:23640/13:43919654 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.journals4free.com/link.jsp?l=13076633" target="_blank" >http://www.journals4free.com/link.jsp?l=13076633</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preferred crystal orientation in Thin-Film nanocrystalline Silicon determined by Raman Spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

In this contribution, we report a unique approach of determining preferred orientation in hydrogenated thin film nanocrystalline silicon (nc-Si:H) using Polarized Raman Spectroscopy (PRS). This method is based on the fact that molecular vibrations in films under polarized light also give rise to polarization-dependent Raman scattered intensity depending on the grain crystal orientation of the irradiated material. First, the dependence of the Raman intensity of the 520 cm -1 TO peak on rotation angle ismeasured on (100), (110), and (111) single-crystalline silicon wafers

Název v anglickém jazyce

Preferred crystal orientation in Thin-Film nanocrystalline Silicon determined by Raman Spectroscopy

Popis výsledku anglicky

In this contribution, we report a unique approach of determining preferred orientation in hydrogenated thin film nanocrystalline silicon (nc-Si:H) using Polarized Raman Spectroscopy (PRS). This method is based on the fact that molecular vibrations in films under polarized light also give rise to polarization-dependent Raman scattered intensity depending on the grain crystal orientation of the irradiated material. First, the dependence of the Raman intensity of the 520 cm -1 TO peak on rotation angle ismeasured on (100), (110), and (111) single-crystalline silicon wafers

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures

ISSN

1842-3582

e-ISSN

—

Svazek periodika

8

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

RO - Rumunsko

Počet stran výsledku

13

Strana od-do

1461-1473

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—