Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Polarized Raman scattering study of PSN single crystals and epitaxial thin films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00451192" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00451192 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1142/S2010135X15500137" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1142/S2010135X15500137</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1142/S2010135X15500137" target="_blank" >10.1142/S2010135X15500137</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Polarized Raman scattering study of PSN single crystals and epitaxial thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper describes a detailed analysis of the dependence of Raman scattering intensity on the polarization of the incident and inelastically scattered light in PbSc0.5Nb0.5O3 (PSN) single crystals and epitaxially compressed thin films grown on (100)-oriented MgO substrates. It is found that there are significant differences between the properties of the crystals and films, and that these differences can be attributed to the anticipated structural differences between these two forms of the same material. In particular, the scattering characteristics of the oxygen octahedra breathing mode near 810 cm-1 indicate a ferroelectric state for the crystals and a relaxor state for the films, which is consistent with the dielectric behaviors of these materials.

  • Název v anglickém jazyce

    Polarized Raman scattering study of PSN single crystals and epitaxial thin films

  • Popis výsledku anglicky

    This paper describes a detailed analysis of the dependence of Raman scattering intensity on the polarization of the incident and inelastically scattered light in PbSc0.5Nb0.5O3 (PSN) single crystals and epitaxially compressed thin films grown on (100)-oriented MgO substrates. It is found that there are significant differences between the properties of the crystals and films, and that these differences can be attributed to the anticipated structural differences between these two forms of the same material. In particular, the scattering characteristics of the oxygen octahedra breathing mode near 810 cm-1 indicate a ferroelectric state for the crystals and a relaxor state for the films, which is consistent with the dielectric behaviors of these materials.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Advanced Dielectrics

  • ISSN

    2010-135X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    5

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    SG - Singapurská republika

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    "1550013-1"-"1550013-6"

  • Kód UT WoS článku

    000359947600007

  • EID výsledku v databázi Scopus