Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

SiC graphene FET with polydimethylglutharimide as a gate dielectric layer

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00440959" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00440959 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    SiC graphene FET with polydimethylglutharimide as a gate dielectric layer

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present our results of using MicroChem Lift-Off Resist (LOR) layer as a dielectric layer for SiC graphene FETs. LOR resist is based on polydimethylglutharimide. Its unique properties enable to perform exceptionally well resolution imaging, easy process tuning, high yields and superior deposition line width control.

  • Název v anglickém jazyce

    SiC graphene FET with polydimethylglutharimide as a gate dielectric layer

  • Popis výsledku anglicky

    We present our results of using MicroChem Lift-Off Resist (LOR) layer as a dielectric layer for SiC graphene FETs. LOR resist is based on polydimethylglutharimide. Its unique properties enable to perform exceptionally well resolution imaging, easy process tuning, high yields and superior deposition line width control.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

  • ISBN

    978-1-4799-5474-2

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    33-36

  • Název nakladatele

    Slovak University of Technology

  • Místo vydání

    Bratislava

  • Místo konání akce

    Smolenice

  • Datum konání akce

    20. 10. 2014

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku