Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Evaluation of bulk and surface radiation damage of silicon sensors for the ATLAS upgrade

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00469811" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00469811 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Evaluation of bulk and surface radiation damage of silicon sensors for the ATLAS upgrade

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The electrical characteristics of different types of end-cap miniature n + -in- p strip sensors, ATLAS12A, were evaluated in Institute of Physics in Prague before and after proton and gamma irradiation. We report here on the bulk damage aspects, including the increase of leakage current and evaluation of the full depletion voltage and the surface damage, including the decrease of inter-strip resistance, changes in inter-strip capacitance and the effectiveness of punch-through protection structure. It was verified that different geometries of end-cap sensors do not influence their stability; the sensors should provide acceptable strip isolation and n ew gate PTP structure functions well even at the highest tested proton fluence 2 10 15 n eq / cm 2.

  • Název v anglickém jazyce

    Evaluation of bulk and surface radiation damage of silicon sensors for the ATLAS upgrade

  • Popis výsledku anglicky

    The electrical characteristics of different types of end-cap miniature n + -in- p strip sensors, ATLAS12A, were evaluated in Institute of Physics in Prague before and after proton and gamma irradiation. We report here on the bulk damage aspects, including the increase of leakage current and evaluation of the full depletion voltage and the surface damage, including the decrease of inter-strip resistance, changes in inter-strip capacitance and the effectiveness of punch-through protection structure. It was verified that different geometries of end-cap sensors do not influence their stability; the sensors should provide acceptable strip isolation and n ew gate PTP structure functions well even at the highest tested proton fluence 2 10 15 n eq / cm 2.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BF - Elementární částice a fyzika vysokých energií

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of Science. Vertex2014

  • ISBN

  • ISSN

    1824-8039

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    11

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Proceedings of Science (PoS)

  • Místo vydání

    Trieste

  • Místo konání akce

    Doksy

  • Datum konání akce

    15. 9. 2014

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku