Photolithography-free interdigitated back-contacted silicon heterojunction solar cells with efficiency > 21%

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00511312" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00511312 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2014.6924898" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2014.6924898</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2014.6924898" target="_blank" >10.1109/PVSC.2014.6924898</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photolithography-free interdigitated back-contacted silicon heterojunction solar cells with efficiency > 21%

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the development of interdigitated back-contacted silicon heterojunction solar cells with conversion efficiencies well above 21%. Doped hydrogenated amorphous silicon layers, needed for electron and hole collection, are patterned via in-situ shadow masking whereas transparent conductive oxide and metal layers, of the back electrodes, are defined via hot melt inkjet printing of an etch resist and subsequent wet etching. Our technology is therefore photolithography-free and avoids any high-temperature step. The best fabricated solar cell presents a high short-circuit current density of 39.9 mA/cm(2), an open-circuit voltage of 724 mV and a fill factor of 74.5% resulting in a conversion efficiency of 21.5%, with a strong upside potential. We report also on a silver-free IBC-SHJ solar cell with conversion efficiency >20%.

Název v anglickém jazyce

Photolithography-free interdigitated back-contacted silicon heterojunction solar cells with efficiency > 21%

Popis výsledku anglicky

We report on the development of interdigitated back-contacted silicon heterojunction solar cells with conversion efficiencies well above 21%. Doped hydrogenated amorphous silicon layers, needed for electron and hole collection, are patterned via in-situ shadow masking whereas transparent conductive oxide and metal layers, of the back electrodes, are defined via hot melt inkjet printing of an etch resist and subsequent wet etching. Our technology is therefore photolithography-free and avoids any high-temperature step. The best fabricated solar cell presents a high short-circuit current density of 39.9 mA/cm(2), an open-circuit voltage of 724 mV and a fill factor of 74.5% resulting in a conversion efficiency of 21.5%, with a strong upside potential. We report also on a silver-free IBC-SHJ solar cell with conversion efficiency >20%.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2014) /40./

ISBN

9781479943982

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

3644-3648

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Denver

Datum konání akce

8. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000366638903195