Fabrication and characterization of n-type zinc oxide/p-type boron doped diamond heterojunction
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00454645" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00454645 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.2478/jee-2015-0045" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.2478/jee-2015-0045</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.2478/jee-2015-0045" target="_blank" >10.2478/jee-2015-0045</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Fabrication and characterization of n-type zinc oxide/p-type boron doped diamond heterojunction
Popis výsledku v původním jazyce
In this contribution we show that the combination of these two materials opens up the potential for fabrication of bipolar heterojunctions. Semiconducting boron doped diamond (BDD) thin films were grown on Si and UV grade silica glass substrates by HFCVDmethod with various boron concentration in the gas mixture. Doped zinc oxide (ZnO:Al, ZnO:Ge) thin layers were deposited by diode sputtering and pulsed lased deposition as the second semiconducting layer on the diamond films. The amount of dopants within the films was varied to obtain optimal semiconducting properties to form a bipolar p-n junction. Finally, different ZnO/BDD heterostructures were prepared and analyzed.
Název v anglickém jazyce
Fabrication and characterization of n-type zinc oxide/p-type boron doped diamond heterojunction
Popis výsledku anglicky
In this contribution we show that the combination of these two materials opens up the potential for fabrication of bipolar heterojunctions. Semiconducting boron doped diamond (BDD) thin films were grown on Si and UV grade silica glass substrates by HFCVDmethod with various boron concentration in the gas mixture. Doped zinc oxide (ZnO:Al, ZnO:Ge) thin layers were deposited by diode sputtering and pulsed lased deposition as the second semiconducting layer on the diamond films. The amount of dopants within the films was varied to obtain optimal semiconducting properties to form a bipolar p-n junction. Finally, different ZnO/BDD heterostructures were prepared and analyzed.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis
ISSN
1335-3632
e-ISSN
—
Svazek periodika
66
Číslo periodika v rámci svazku
5
Stát vydavatele periodika
SK - Slovenská republika
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
277-281
Kód UT WoS článku
000365830700006
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84945188174