Interplay between switching driven by the tunneling current andatomic force of a bistable four-atom Si quantum dot
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456404" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456404 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b00448" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b00448</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b00448" target="_blank" >10.1021/acs.nanolett.5b00448</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Interplay between switching driven by the tunneling current andatomic force of a bistable four-atom Si quantum dot
Popis výsledku v původním jazyce
We assemble bistable silicon quantum dots consisting of four buckled atoms (Si4-QD) using atom manipulation. We demonstrate two competing atom switching mechanisms, downward switching induced by tunneling current of scanning tunneling microscopy (STM) and opposite upward switching induced by atomic force of atomic force microscopy (AFM). Simultaneous application of competing current and force allows us to tune switching direction continuously. Assembly of the few-atom Si-QDs and controlling their statesusing versatile combined AFM/STM will contribute to further miniaturization of nanodevices
Název v anglickém jazyce
Interplay between switching driven by the tunneling current andatomic force of a bistable four-atom Si quantum dot
Popis výsledku anglicky
We assemble bistable silicon quantum dots consisting of four buckled atoms (Si4-QD) using atom manipulation. We demonstrate two competing atom switching mechanisms, downward switching induced by tunneling current of scanning tunneling microscopy (STM) and opposite upward switching induced by atomic force of atomic force microscopy (AFM). Simultaneous application of competing current and force allows us to tune switching direction continuously. Assembly of the few-atom Si-QDs and controlling their statesusing versatile combined AFM/STM will contribute to further miniaturization of nanodevices
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA14-02079S" target="_blank" >GA14-02079S: Kontrola jednoelektronových nábojových stavů v molekulách na površích</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nano Letters
ISSN
1530-6984
e-ISSN
—
Svazek periodika
15
Číslo periodika v rámci svazku
7
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
4356-4363
Kód UT WoS článku
000357964100018
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84936805215