Transformation of metallic boron into substitutional dopants in graphene on 6H-SIC(0001)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00458959" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00458959 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.041302" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.041302</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.041302" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.93.041302</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Transformation of metallic boron into substitutional dopants in graphene on 6H-SIC(0001)
Popis výsledku v původním jazyce
We investigate the development of the local bonding and chemical state of boron atoms during the growth of B-doped graphene on 6H-SiC(0001). Photoemission experiments reveal the presence of two chemical states, namely, boron in the uppermost SiC bilayers and boron substituted in both the graphene and buffer layer lattices. We demonstrate the participation of the dopant in the pi electron system of graphene by the presence of the pi* resonance in the near edge x-ray adsorption fine structure (NEXAFS) recorded at the BK-edge. The experimental findings are supported by NEXAFS simulations.
Název v anglickém jazyce
Transformation of metallic boron into substitutional dopants in graphene on 6H-SIC(0001)
Popis výsledku anglicky
We investigate the development of the local bonding and chemical state of boron atoms during the growth of B-doped graphene on 6H-SiC(0001). Photoemission experiments reveal the presence of two chemical states, namely, boron in the uppermost SiC bilayers and boron substituted in both the graphene and buffer layer lattices. We demonstrate the participation of the dopant in the pi electron system of graphene by the presence of the pi* resonance in the near edge x-ray adsorption fine structure (NEXAFS) recorded at the BK-edge. The experimental findings are supported by NEXAFS simulations.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA15-07172S" target="_blank" >GA15-07172S: Optimalizace vlastností grafenu dopováním substitučními příměsemi: teorie a experiment</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review. B
ISSN
1098-0121
e-ISSN
—
Svazek periodika
93
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000368486600002
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84955265590