Role of a-Si:H in lateral growth of crystalline silicon nanowires using Pb and In catalysts

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00464798" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00464798 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201532923" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201532923</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201532923" target="_blank" >10.1002/pssa.201532923</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Role of a-Si:H in lateral growth of crystalline silicon nanowires using Pb and In catalysts

Popis výsledku v původním jazyce

Growth of crystalline silicon nanowires at low temperatures by chemical vapour deposition is an important technological challenge for electronic and sensor nanodevices. Here we present a comparative study of crystalline silicon nanowire growth by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) using lead and indium. We compare two different growth methods that produce either in-plane or out-of-plane crystalline Si nanowires (SiNWs) at temperatures below 400C depending on the growth conditions and the catalyst used. The first growth method is based on the deposition of a thin film of amorphous silicon on a substrate at 150C and subsequent thermal annealing at 400C. The second method uses direct SiNWs growth at 400C in PECVD. While the first method produces in-plane Si nanowires with In and no nanowire growth for Pb, the second method gives rise to outof-plane Si nanowires for In and in-plane nanowires for Pb.

Název v anglickém jazyce

Role of a-Si:H in lateral growth of crystalline silicon nanowires using Pb and In catalysts

Popis výsledku anglicky

Growth of crystalline silicon nanowires at low temperatures by chemical vapour deposition is an important technological challenge for electronic and sensor nanodevices. Here we present a comparative study of crystalline silicon nanowire growth by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) using lead and indium. We compare two different growth methods that produce either in-plane or out-of-plane crystalline Si nanowires (SiNWs) at temperatures below 400C depending on the growth conditions and the catalyst used. The first growth method is based on the deposition of a thin film of amorphous silicon on a substrate at 150C and subsequent thermal annealing at 400C. The second method uses direct SiNWs growth at 400C in PECVD. While the first method produces in-plane Si nanowires with In and no nanowire growth for Pb, the second method gives rise to outof-plane Si nanowires for In and in-plane nanowires for Pb.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA16-12355S" target="_blank" >GA16-12355S: Křemíkové nanodrátky pro třídimenzionální nanoelektroniku</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi. A

ISSN

1862-6300

e-ISSN

—

Svazek periodika

213

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1821-1825

Kód UT WoS článku

000385222900025

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84959281895