Band structure of silicon nanocrystals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00471613" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00471613 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1201/9781315364797-5" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1201/9781315364797-5</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1201/9781315364797-5" target="_blank" >10.1201/9781315364797-5</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Band structure of silicon nanocrystals

Popis výsledku v původním jazyce

This chapter puts on a rigorous basis the concept of electronic band structure in semiconductor nanocrystals. We show that, down to a certain limit, this concept has still reasonable meaning, even if the band structure becomes gradually “fuzzy and minigaps appear within the allowed energy bands with decreasing nanocrystal size. The nanocrystals basically remember the basic features of their “parent bulk material. In particular, we demonstrate that hydrogen-capped silicon nanocrystals, fully relaxed geometrically and electronically, retain the indirect-bandgap structure down to 2 nm. Moreover, we reveal, both computationally and experimentally, that mechanical (tensile) strain applied to the Si nanocrystals via proper surface capping makes these nanocrystals a direct-bandgap material, putting them on a par with standard direct-bandgap semiconductors like GaAs.

Název v anglickém jazyce

Band structure of silicon nanocrystals

Popis výsledku anglicky

This chapter puts on a rigorous basis the concept of electronic band structure in semiconductor nanocrystals. We show that, down to a certain limit, this concept has still reasonable meaning, even if the band structure becomes gradually “fuzzy and minigaps appear within the allowed energy bands with decreasing nanocrystal size. The nanocrystals basically remember the basic features of their “parent bulk material. In particular, we demonstrate that hydrogen-capped silicon nanocrystals, fully relaxed geometrically and electronically, retain the indirect-bandgap structure down to 2 nm. Moreover, we reveal, both computationally and experimentally, that mechanical (tensile) strain applied to the Si nanocrystals via proper surface capping makes these nanocrystals a direct-bandgap material, putting them on a par with standard direct-bandgap semiconductors like GaAs.

Druh

C - Kapitola v odborné knize

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název knihy nebo sborníku

Silicon Nanophotonics. Basic Principles, Present Status, and Perspectives

ISBN

978-981-4669-76-4

Počet stran výsledku

36

Strana od-do

109-144

Počet stran knihy

503

Název nakladatele

Pan Stanford Publishing

Místo vydání

Singapore

Kód UT WoS kapitoly

—