Localization effects in the disordered Ta interlayer of multilayer Ta–FeNi films: Evidence from dc transport and spectroscopic ellipsometry study
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00481158" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00481158 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5009745" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.5009745</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5009745" target="_blank" >10.1063/1.5009745</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Localization effects in the disordered Ta interlayer of multilayer Ta–FeNi films: Evidence from dc transport and spectroscopic ellipsometry study
Popis výsledku v původním jazyce
Using dc transport and wide-band spectroscopic ellipsometry techniques, we study localization effects in the disordered metallic Ta interlayer of different thicknesses in the multilayer films (MLFs) (Ta–FeNi)N grown by rf sputtering deposition. In the grown MLFs, the FeNi layer was 0.52 nm thick, while the Ta layer thickness varied between 1.2 and 4.6 nm. The Ta layer dielectric function was extracted from the Drude-Lorentz simulation. The dc transport study of the MLFs implies non-metallic (dρ/dT<0) behavior, with negative temperature coefficient of resistivity (TCR). The TCR absolute value increases upon increasing the Ta interlayer thickness, indicating enhanced electron localization. With that, the free charge carrier Drude response decreases. Moreover, the pronounced changes occur in the extended spectral range, involving the higher-energy Lorentz bands. The Drude dc conductivity drops below the weak localization limit for the thick Ta layer.n
Název v anglickém jazyce
Localization effects in the disordered Ta interlayer of multilayer Ta–FeNi films: Evidence from dc transport and spectroscopic ellipsometry study
Popis výsledku anglicky
Using dc transport and wide-band spectroscopic ellipsometry techniques, we study localization effects in the disordered metallic Ta interlayer of different thicknesses in the multilayer films (MLFs) (Ta–FeNi)N grown by rf sputtering deposition. In the grown MLFs, the FeNi layer was 0.52 nm thick, while the Ta layer thickness varied between 1.2 and 4.6 nm. The Ta layer dielectric function was extracted from the Drude-Lorentz simulation. The dc transport study of the MLFs implies non-metallic (dρ/dT<0) behavior, with negative temperature coefficient of resistivity (TCR). The TCR absolute value increases upon increasing the Ta interlayer thickness, indicating enhanced electron localization. With that, the free charge carrier Drude response decreases. Moreover, the pronounced changes occur in the extended spectral range, involving the higher-energy Lorentz bands. The Drude dc conductivity drops below the weak localization limit for the thick Ta layer.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA15-13778S" target="_blank" >GA15-13778S: Studium epitaxních jevů ve feroelektrických nanovrstvách pomocí spektrální elipsometrie</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Svazek periodika
111
Číslo periodika v rámci svazku
18
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000414158500029
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85032988017