Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Picosecond relaxation of X-ray excited GaAs

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00487394" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00487394 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/61389021:_____/17:00508745

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.hedp.2017.05.012" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.hedp.2017.05.012</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.hedp.2017.05.012" target="_blank" >10.1016/j.hedp.2017.05.012</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Picosecond relaxation of X-ray excited GaAs

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The current status of our theoretical studies on ultrafast relaxation of X-ray/XUV excited galium arsenide is presented. First, our previous approach is discussed, and next the unified model based on rate equations,two-temperature model and thee extended Drude approach. By fitting the model to the available experimental data, we obtained realistic estimateson transient electronic temperature and electron-lattice thermalization timescale. Next, a step towards a rigorous description of the relaxation proces with our hybrid code,XTANT was made. We extend the XTANT to include the band-specific effect of the suppression of collisional processes in GaAs, and perform dedicated simulations. The outline for a respektive model improvement is discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Picosecond relaxation of X-ray excited GaAs

  • Popis výsledku anglicky

    The current status of our theoretical studies on ultrafast relaxation of X-ray/XUV excited galium arsenide is presented. First, our previous approach is discussed, and next the unified model based on rate equations,two-temperature model and thee extended Drude approach. By fitting the model to the available experimental data, we obtained realistic estimateson transient electronic temperature and electron-lattice thermalization timescale. Next, a step towards a rigorous description of the relaxation proces with our hybrid code,XTANT was made. We extend the XTANT to include the band-specific effect of the suppression of collisional processes in GaAs, and perform dedicated simulations. The outline for a respektive model improvement is discussed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    High energy density physics

  • ISSN

    1574-1818

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    24

  • Číslo periodika v rámci svazku

    Sep

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    15-21

  • Kód UT WoS článku

    000410831800003

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85020308135