Application of microscopy methods for characterization of silicon nanostructures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00488809" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00488809 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Application of microscopy methods for characterization of silicon nanostructures

Popis výsledku v původním jazyce

Given the rise of importance of nanostructures in the field of photovoltaics and electronics, necessity of nanometer-resolved characterization methods is increasing accordingly. While atomic force microscopy (AFM) measurements are currently widely used as a reliable tool for topographical characterization, situation is much more complicated in case of electrical techniques. In this work, we would like to present several examples of conductive AFM (C-AFM) application for solar cell characterization.

Název v anglickém jazyce

Application of microscopy methods for characterization of silicon nanostructures

Popis výsledku anglicky

Given the rise of importance of nanostructures in the field of photovoltaics and electronics, necessity of nanometer-resolved characterization methods is increasing accordingly. While atomic force microscopy (AFM) measurements are currently widely used as a reliable tool for topographical characterization, situation is much more complicated in case of electrical techniques. In this work, we would like to present several examples of conductive AFM (C-AFM) application for solar cell characterization.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů