EPR study of porous Si:C and SiO2:C layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00494130" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00494130 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201700559" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201700559</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201700559" target="_blank" >10.1002/pssb.201700559</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
EPR study of porous Si:C and SiO2:C layers
Popis výsledku v původním jazyce
Initial porous silicon (por-Si), carbonized porous silicon (por-Si:C), and carbon-incorporated porous silicon oxide (por-SiO2:C) layers are studied by electron paramagnetic resonance (EPR) at T¼10–13 K. Scanning transmission electron microscopy and electron energy loss (EEL) spectroscopy show that por-Si:C and por-SiO2:C layers have a highly disordered structure with mixing sp2 and sp3 C─C bonds. In the por-SiO2:C layers, the peak of the oxygen bonded to carbon in the form of hydroxyl groups is found in the EEL spectrum of the C K-edge region. Low-intensity signals of Lorentzian lineshape are detected in the EPR spectrum of por-Si, por-Si:C, por-SiO2:C layers.
Název v anglickém jazyce
EPR study of porous Si:C and SiO2:C layers
Popis výsledku anglicky
Initial porous silicon (por-Si), carbonized porous silicon (por-Si:C), and carbon-incorporated porous silicon oxide (por-SiO2:C) layers are studied by electron paramagnetic resonance (EPR) at T¼10–13 K. Scanning transmission electron microscopy and electron energy loss (EEL) spectroscopy show that por-Si:C and por-SiO2:C layers have a highly disordered structure with mixing sp2 and sp3 C─C bonds. In the por-SiO2:C layers, the peak of the oxygen bonded to carbon in the form of hydroxyl groups is found in the EEL spectrum of the C K-edge region. Low-intensity signals of Lorentzian lineshape are detected in the EPR spectrum of por-Si, por-Si:C, por-SiO2:C layers.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
ISSN
0370-1972
e-ISSN
—
Svazek periodika
255
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000435095400011
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85048363939