Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

EPR study of porous Si:C and SiO2:C layers

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00494130" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00494130 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201700559" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201700559</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201700559" target="_blank" >10.1002/pssb.201700559</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    EPR study of porous Si:C and SiO2:C layers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Initial porous silicon (por-Si), carbonized porous silicon (por-Si:C), and carbon-incorporated porous silicon oxide (por-SiO2:C) layers are studied by electron paramagnetic resonance (EPR) at T¼10–13 K. Scanning transmission electron microscopy and electron energy loss (EEL) spectroscopy show that por-Si:C and por-SiO2:C layers have a highly disordered structure with mixing sp2 and sp3 C─C bonds. In the por-SiO2:C layers, the peak of the oxygen bonded to carbon in the form of hydroxyl groups is found in the EEL spectrum of the C K-edge region. Low-intensity signals of Lorentzian lineshape are detected in the EPR spectrum of por-Si, por-Si:C, por-SiO2:C layers.

  • Název v anglickém jazyce

    EPR study of porous Si:C and SiO2:C layers

  • Popis výsledku anglicky

    Initial porous silicon (por-Si), carbonized porous silicon (por-Si:C), and carbon-incorporated porous silicon oxide (por-SiO2:C) layers are studied by electron paramagnetic resonance (EPR) at T¼10–13 K. Scanning transmission electron microscopy and electron energy loss (EEL) spectroscopy show that por-Si:C and por-SiO2:C layers have a highly disordered structure with mixing sp2 and sp3 C─C bonds. In the por-SiO2:C layers, the peak of the oxygen bonded to carbon in the form of hydroxyl groups is found in the EEL spectrum of the C K-edge region. Low-intensity signals of Lorentzian lineshape are detected in the EPR spectrum of por-Si, por-Si:C, por-SiO2:C layers.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics

  • ISSN

    0370-1972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    255

  • Číslo periodika v rámci svazku

    6

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000435095400011

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85048363939