Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00496211" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00496211 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Detection and imaging of ionizing radiation is one of prospective applications of InGaN/GaN multiple quantum well structures. Besides efficiency and temporal resolution, spatial homogeneity is an important factor. We quantified it using 2D Fourier transform of cathodoluminescence images, separating the finest inhomogeneity caused by V-pits (100-500 nm) from one caused by dislocation bunching (1-2 μm) and from coarser modulation of QW efficiency. This approach, possibly combined with electron-energy and optical spectrum resolution, is useful for future high-performance imaging screen development.

  • Název v anglickém jazyce

    Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth

  • Popis výsledku anglicky

    Detection and imaging of ionizing radiation is one of prospective applications of InGaN/GaN multiple quantum well structures. Besides efficiency and temporal resolution, spatial homogeneity is an important factor. We quantified it using 2D Fourier transform of cathodoluminescence images, separating the finest inhomogeneity caused by V-pits (100-500 nm) from one caused by dislocation bunching (1-2 μm) and from coarser modulation of QW efficiency. This approach, possibly combined with electron-energy and optical spectrum resolution, is useful for future high-performance imaging screen development.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů