Size-dependent effects in silicon carbide and diamond nanomaterials as studied by CW and pulse EPR methods
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00499909" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00499909 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.2174/9781681086934118010015" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.2174/9781681086934118010015</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.2174/9781681086934118010015" target="_blank" >10.2174/9781681086934118010015</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Size-dependent effects in silicon carbide and diamond nanomaterials as studied by CW and pulse EPR methods
Popis výsledku v původním jazyce
The great potential of the silicon carbide (SiC) and diamond nanoparticles for future applications in spintronics initiates detailed investigation of the effects of impurities and defects in their electronic characteristics. Among impurities, nitrogen doped SiC nanoparticles are an important item to be studied, because nitrogen donors are common contaminations of an n-type SiC bulk material. The first information about the shallow donor state of nitrogen in SiC nanoparticles and influence of the hydrogen as well as intrinsic defects on electronic properties of nitrogen was presented in this chapter.
Název v anglickém jazyce
Size-dependent effects in silicon carbide and diamond nanomaterials as studied by CW and pulse EPR methods
Popis výsledku anglicky
The great potential of the silicon carbide (SiC) and diamond nanoparticles for future applications in spintronics initiates detailed investigation of the effects of impurities and defects in their electronic characteristics. Among impurities, nitrogen doped SiC nanoparticles are an important item to be studied, because nitrogen donors are common contaminations of an n-type SiC bulk material. The first information about the shallow donor state of nitrogen in SiC nanoparticles and influence of the hydrogen as well as intrinsic defects on electronic properties of nitrogen was presented in this chapter.
Klasifikace
Druh
C - Kapitola v odborné knize
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název knihy nebo sborníku
Frontiers in magnetic resonance
ISBN
978-1-68108-694-1
Počet stran výsledku
12
Strana od-do
242-253
Počet stran knihy
302
Název nakladatele
Bentham Science Publishers Ltd.
Místo vydání
Sharjah
Kód UT WoS kapitoly
—