Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Kelvin probe force microscopy and calculation of charge transport in a graphene/silicon dioxide system at different relative humidity

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00511229" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00511229 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26620/18:PU127833 RIV/70883521:28110/18:63520423

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1021/acsami.7b18041" target="_blank" >https://doi.org/10.1021/acsami.7b18041</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsami.7b18041" target="_blank" >10.1021/acsami.7b18041</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Kelvin probe force microscopy and calculation of charge transport in a graphene/silicon dioxide system at different relative humidity

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The article shows how the dynamic mapping ofsurface potential (SP) measured by Kelvin probe forcemicroscopy (KPFM) in combination with calculation by adiffusion-like equation and the theory based on the Brunauer−Emmett−Teller (BET) model of water condensation andelectron hopping can provide the information concerning theresistivity of low conductive surfaces and their water coverage.This is enabled by a study of charge transport between isolatedand grounded graphene sheets on a silicon dioxide surface atdifferent relative humidity (RH) with regard to the use of graphene in ambient electronic circuits and especially in sensors. In theexperimental part, the chemical vapor-deposited graphene is precisely patterned by the mechanical atomic force microscopy(AFM) lithography and the charge transport is studied through a surface potential evolution measured by KPFM.

  • Název v anglickém jazyce

    Kelvin probe force microscopy and calculation of charge transport in a graphene/silicon dioxide system at different relative humidity

  • Popis výsledku anglicky

    The article shows how the dynamic mapping ofsurface potential (SP) measured by Kelvin probe forcemicroscopy (KPFM) in combination with calculation by adiffusion-like equation and the theory based on the Brunauer−Emmett−Teller (BET) model of water condensation andelectron hopping can provide the information concerning theresistivity of low conductive surfaces and their water coverage.This is enabled by a study of charge transport between isolatedand grounded graphene sheets on a silicon dioxide surface atdifferent relative humidity (RH) with regard to the use of graphene in ambient electronic circuits and especially in sensors. In theexperimental part, the chemical vapor-deposited graphene is precisely patterned by the mechanical atomic force microscopy(AFM) lithography and the charge transport is studied through a surface potential evolution measured by KPFM.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ACS Applied Materials and Interfaces

  • ISSN

    1944-8244

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    10

  • Číslo periodika v rámci svazku

    14

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    11987-11994

  • Kód UT WoS článku

    000430156000068

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85045341032