Electrical and optical properties of scandium nitride nanolayers on MgO (100) substrate

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00509472" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00509472 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://hdl.handle.net/11104/0300219" target="_blank" >http://hdl.handle.net/11104/0300219</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5056245" target="_blank" >10.1063/1.5056245</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electrical and optical properties of scandium nitride nanolayers on MgO (100) substrate

Popis výsledku v původním jazyce

Scandium nitride (ScN) is a rocksalt-structure semiconductor that has attracted attention for its potential applications in thermoelectric energy conversion devices, as a semiconducting component in epitaxial metal/semiconductor superlattices. ScN nanolayers of 30 nm thickness were deposited on MgO (001) substrate by reactive sputtering. Epitaxial growth of ScN(002) was observed with a mosaicity between grains around the {002} growth axis. Both direct band gaps theoretically predicted were measured at 2.59 eV and 4.25 eV for the energy gaps between the valence band and the conductance band at the X point and the Gamma point respectively.

Název v anglickém jazyce

Electrical and optical properties of scandium nitride nanolayers on MgO (100) substrate

Popis výsledku anglicky

Scandium nitride (ScN) is a rocksalt-structure semiconductor that has attracted attention for its potential applications in thermoelectric energy conversion devices, as a semiconducting component in epitaxial metal/semiconductor superlattices. ScN nanolayers of 30 nm thickness were deposited on MgO (001) substrate by reactive sputtering. Epitaxial growth of ScN(002) was observed with a mosaicity between grains around the {002} growth axis. Both direct band gaps theoretically predicted were measured at 2.59 eV and 4.25 eV for the energy gaps between the valence band and the conductance band at the X point and the Gamma point respectively.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

AIP Advances

ISSN

2158-3226

e-ISSN

—

Svazek periodika

9

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

1-7

Kód UT WoS článku

000457407600112

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85060141226